Datasheet下载- 型号： FDP10AN06A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP10AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP10AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP10AN06A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP10AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP10AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP10AN06A0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场景。其额定电压为 60V，连续漏极电流可达 10A，适合中高功率应用。 该器件常用于以下领域： 1. 电源管理：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，因其低导通电阻和快速开关特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，特别是在电动车、电动工具或自动化设备中作为功率开关使用。 3. 电池供电设备：如便携式电子产品、无人机、储能系统等，用于电池充放电管理或电源切换控制。 4. 工业控制：在工业自动化系统中用于控制继电器、电磁阀、传感器供电等负载。 5. 汽车电子：可用于车载充电系统、照明控制、辅助电机驱动等场景，满足汽车应用对可靠性和效率的要求。 该 MOSFET 封装为 DPAK（TO-252），便于散热设计，适合表面贴装，广泛应用于各类中小型功率电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDP10AN06A0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1840pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 75A （Tc） |
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