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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8032-H(TE12LQM)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8032-H(TE12LQM)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8032-H(TE12LQM)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPC8032-H(TE12LQM)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPC8032-H(TE12LQM) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPC8032-H(TE12LQM)是东芝半导体(Toshiba Semiconductor and Storage)推出的一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于各类中小功率电子设备中。该器件采用小型化封装(如SOP或SON),具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在空间受限且对效率要求较高的场景中使用。 典型应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、移动电源)中的电源管理与负载开关,用于电池供电系统的通断控制;各类消费类电子设备(如智能家居设备、无线耳机、可穿戴设备)中的DC-DC转换电路,提升能源利用效率;工业控制模块、传感器电源开关以及LED驱动电路中,实现高效、快速的信号与功率切换。 此外,由于其优异的开关特性和可靠性,TPC8032-H也适用于电机驱动、继电器替代及小型马达控制等场合。其低栅极电荷设计有助于减少驱动损耗,提高系统整体能效。综合来看,该MOSFET特别适合需要高集成度、低功耗和高响应速度的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8032-H(TE12LQM) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2846pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP(5.5x6.0) |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Ta) |