ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMG6968U-7
Datasheet下载- 型号： DMG6968U-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6968U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6968U-7价格参考。Diodes Inc.DMG6968U-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23-3。您可以下载DMG6968U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6968U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG6968U-7是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，主要用于低电压、低功耗的应用场景。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），使其在开关应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并提高效率。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。由于其低导通电阻和小封装尺寸，DMG6968U-7非常适合用于这些设备中的电源管理电路，例如负载开关、电池充电电路和DC-DC转换器等。 2. 消费类电子产品：包括智能手表、蓝牙耳机和其他可穿戴设备。这些产品通常要求小型化和高效能，DMG6968U-7的小封装和低功耗特性正好满足这些需求。 3. 物联网（IoT）设备：如智能家居传感器、无线模块和网关等。MOSFET在此类设备中用于控制电源分配和信号切换，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 汽车电子系统：尽管主要应用于消费电子领域，但在一些对空间和功耗有严格要求的车载子系统中，如车身控制模块、信息娱乐系统等，也可以使用DMG6968U-7来实现高效的电源管理和信号传输。 5. 工业自动化：在工业控制板卡、传感器接口和通信接口中，该MOSFET可用于保护电路、信号隔离和电平转换等功能，帮助提高系统的整体性能和稳定性。 总之，DMG6968U-7凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，在众多需要高效、小型化解决方案的应用中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6968U-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG6968U-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 810 mW |
| Pd-功率耗散 | 810 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 205 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 151pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMG6968U7 |
| 典型关闭延迟时间 | 613 ns |
| 功率-最大值 | 810mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Ta） |
| 系列 | DMG6968U |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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