ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FMMT497TA
Datasheet下载- 型号： FMMT497TA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT497TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT497TA价格参考￥1.01-￥1.39。Diodes Inc.FMMT497TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 500mA 75MHz 500mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载FMMT497TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT497TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMMT497TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管（BJT），具有高增益和高开关速度的特点，常用于中等功率的放大和高速开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、电压调节器中的开关控制，能够高效地驱动负载并实现能量转换。 2. LED驱动电路：在中高亮度LED照明系统中作为开关或恒流控制元件，提供稳定可靠的电流控制。 3. 电机驱动与继电器控制：可用于小型电机或继电器的驱动电路中，实现微控制器对大电流负载的安全控制。 4. 信号放大与音频应用：适合小信号放大电路，如音频前置放大或传感器信号调理，因其良好的线性特性可提升信号质量。 5. 消费类电子产品：广泛应用于手机充电器、家用电器、智能插座等设备中的开关和控制功能。 6. 工业控制与自动化：在PLC模块、传感器接口和执行器驱动中发挥开关作用，适应较宽的工作温度范围，可靠性高。 FMMT497TA 采用 SOT-23 小型封装，便于在空间受限的PCB上使用，同时具备良好的热稳定性和电气性能，是中小功率模拟与数字电路中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS HP NPN 300V 500MA SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN High Voltage |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT497TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMMT497TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 25mA，250mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 100mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | 497 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 1 mA at 10 V, 80 at 100 mA at 10 V, 20 at 250 mA at 10 V |
| 系列 | FMMT497 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 频率-跃迁 | 75MHz |
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