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Datasheet下载- 型号： SIR836DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR836DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR836DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR836DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 21A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR836DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR836DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR836DP-T1-GE3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 1.2mm × 1.2mm 超小型 DFN1212 封装，适用于对空间和效率要求严苛的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池电源开关、负载开关和电源路径管理，得益于其低导通电阻（RDS(on)）和小封装，有助于降低功耗并节省PCB空间。 2. DC-DC 转换器：在同步降压或升压电路中作为高边或低边开关使用，提高转换效率，适用于紧凑型电源模块。 3. 热插拔与过流保护电路：凭借快速响应和良好热稳定性，可用于USB端口、SIM卡槽等需要安全上电控制的场合，防止浪涌电流损坏系统。 4. 便携式医疗设备与物联网终端：如血糖仪、智能传感器等，要求低静态电流和高可靠性，该器件可在待机模式下有效减少能耗。 5. 电机驱动与LED驱动：适用于微型马达控制和背光驱动，支持高频开关操作，提升系统响应速度。 SIR836DP-T1-GE3 具有低栅极电荷、优良的开关特性及符合RoHS的环保设计，适合高密度、高性能的现代电子产品，在消费电子、工业控制和通信设备中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR836DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR836DP-T1-GE3SIR836DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 15.6 W |
| Pd-功率耗散 | 15.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR836DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 15.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 零件号别名 | SIR836DP-GE3 |
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