Datasheet下载- 型号： IXTA12N50P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA12N50P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA12N50P价格参考。IXYSIXTA12N50P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTA12N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA12N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA12N50P是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中高功率开关场合。其耐压高达500V，连续漏极电流可达12A，具备较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合高效能、高可靠性的电力电子系统。 该器件典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，用于工业电源、通信设备和服务器电源模块；逆变器系统，如太阳能逆变器和UPS不间断电源，用于电能转换与调节；电机驱动电路，适用于中小功率交流或直流电机控制，常见于工业自动化设备和家用电器；此外，还用于照明镇流器、高压电源模块及电焊机等功率控制设备。 IXTA12N50P采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下稳定运行。其快速开关特性有助于提升系统效率，减少能量损耗，因此在追求节能与紧凑设计的现代电力电子应用中具有较高实用价值。总体而言，该MOSFET适用于需要高电压阻断能力和中等电流承载能力的工业级开关控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAKMOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA12N50PPolar™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTA12N50P |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.600 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 7.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | IXTA12N50P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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