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  • 型号: STP6NK60ZFP
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP6NK60ZFP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP6NK60ZFP由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP6NK60ZFP价格参考。STMicroelectronicsSTP6NK60ZFP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 6A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP。您可以下载STP6NK60ZFP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP6NK60ZFP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP6NK60ZFP是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有600V的漏源击穿电压和6A的连续漏极电流能力,适合中高功率应用。

其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC转换器、适配器、充电器等,作为主开关元件,具备高效能与低导通损耗特性。

2. 电机驱动:适用于工业自动化设备中的电机控制电路,提供可靠开关性能。

3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路,支持高频开关以提高效率。

4. 家电控制:如电磁炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块,具备良好的热稳定性和耐用性。

5. 逆变器与UPS:用于不间断电源或太阳能逆变器中,实现直流到交流的能量转换,具备快速开关响应能力。

该MOSFET采用TO-220FP封装,散热性能良好,适合印刷电路板(PCB)安装,广泛应用于工业、消费类电子及绿色能源系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FPMOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP6NK60ZFPSuperMESH™

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产品型号

STP6NK60ZFP

Pd-PowerDissipation

30 W

Pd-功率耗散

30 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

14 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

905pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 3A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-5956-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67405?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

30W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

STP6NK60ZFP

通道模式

Enhancement

配置

Single

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