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STF18N60M2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF18N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF18N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF18N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF18N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF18N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF18N60M2是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - STF18N60M2适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其600V的击穿电压使其能够承受高电压输入,而低导通电阻(Rds(on))则有助于提高效率并减少功耗。 - 常用于笔记本适配器、手机充电器和其他消费类电子产品的电源管理。 2. 电机驱动 - 在中小功率电机驱动应用中,该MOSFET可以作为开关元件使用,控制电机的启停和速度调节。 - 适合于家用电器(如风扇、洗衣机)、电动工具以及小型工业设备中的无刷直流电机(BLDC)或有刷直流电机驱动。 3. 逆变器 - 用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)或其他类型的电力逆变器中,将直流电转换为交流电。 - 其高耐压特性和良好的动态性能确保了在高频开关条件下的稳定运行。 4. PFC电路(功率因数校正) - 在需要功率因数校正的电路中,STF18N60M2可以用作升压开关,帮助提高系统的功率因数并降低谐波失真。 - 广泛应用于电视、显示器和照明系统等产品中。 5. 负载切换与保护 - 用于保护电路中的负载切换,例如电池管理系统(BMS)中的充放电控制。 - 能够快速响应过流、短路等异常情况,从而保护整个电路免受损害。 6. 汽车电子 - 在车载电子设备中,如车窗升降器、雨刷器控制系统、LED灯驱动等,该MOSFET可提供可靠的开关功能。 - 符合AEC-Q101标准的版本还可用于更严苛的汽车环境。 总结 STF18N60M2凭借其高电压耐受能力、较低的导通电阻和优秀的热特性,在多种工业、消费类及汽车电子领域中具有广泛的应用价值。选择此器件时,需根据具体电路要求优化散热设计并匹配合适的驱动电路以发挥其最佳性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220FPMOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF18N60M2MDmesh™ II Plus |
数据手册 | |
产品型号 | STF18N60M2 |
Pd-PowerDissipation | 25 W |
Pd-功率耗散 | 25 W |
Qg-GateCharge | 21.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 21.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 255 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 255 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 10.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 791pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 6.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-13947-5 |
典型关闭延迟时间 | 47 ns |
功率-最大值 | 25W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
系列 | STF18N60M2 |
配置 | Single |