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STL40N10F7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL40N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL40N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTL40N10F7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 5W(Ta),70W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL40N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL40N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL40N10F7是一款N沟道增强型MOSFET,具有100V的耐压能力、低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力(最大连续漏极电流可达25A)。以下是该型号的应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - STL40N10F7适用于各种开关电源设计,包括降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。 - 常用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机、步进电机或无刷直流电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。 - 适合家用电器(如吸尘器、风扇)和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载切换 - 在汽车电子和工业控制系统中,作为负载切换开关使用,例如控制灯泡、继电器或加热元件的通断。 - 其高耐压能力使其能够适应汽车电池电压波动的环境。 4. 逆变器和UPS系统 - 用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中的功率级电路,实现高效的能量转换。 - 其快速开关特性和低功耗特性非常适合高频逆变应用。 5. 保护电路 - 用作过流保护、短路保护或热插拔保护中的开关元件。 - 在数据通信设备中,可防止因意外短路导致的损坏。 6. 音频放大器 - 在D类音频放大器中作为输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。 7. 电池管理系统 (BMS) - 用于锂离子电池组的充放电管理,控制电池的输入和输出电流,确保安全运行。 特性优势: - 低导通电阻:减少传导损耗,提高整体效率。 - 高雪崩能量能力:增强对瞬态电压的耐受能力。 - 紧凑封装:如TO-220或PowerFLAT封装,便于散热和空间优化。 总结来说,STL40N10F7凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源领域,满足多种功率管理和控制需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL40N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII |
数据手册 | |
产品型号 | STL40N10F7 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
Qg-GateCharge | 14 nC |
Qg-栅极电荷 | 14 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1320pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
其它名称 | 497-13968-1 |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 24 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
系列 | STL40N10F7 |
配置 | Dual Dual Drain |