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  • 型号: STL40N10F7
  • 制造商: STMicroelectronics
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STL40N10F7产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL40N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL40N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTL40N10F7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 5W(Ta),70W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL40N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL40N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STL40N10F7是一款N沟道增强型MOSFET,具有100V的耐压能力、低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力(最大连续漏极电流可达25A)。以下是该型号的应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)  
   - STL40N10F7适用于各种开关电源设计,包括降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率。
   - 常用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。

 2. 电机驱动  
   - 用于小型直流电机、步进电机或无刷直流电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。
   - 适合家用电器(如吸尘器、风扇)和工业自动化设备中的电机控制。

 3. 负载切换  
   - 在汽车电子和工业控制系统中,作为负载切换开关使用,例如控制灯泡、继电器或加热元件的通断。
   - 其高耐压能力使其能够适应汽车电池电压波动的环境。

 4. 逆变器和UPS系统  
   - 用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中的功率级电路,实现高效的能量转换。
   - 其快速开关特性和低功耗特性非常适合高频逆变应用。

 5. 保护电路  
   - 用作过流保护、短路保护或热插拔保护中的开关元件。
   - 在数据通信设备中,可防止因意外短路导致的损坏。

 6. 音频放大器  
   - 在D类音频放大器中作为输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。

 7. 电池管理系统 (BMS)  
   - 用于锂离子电池组的充放电管理,控制电池的输入和输出电流,确保安全运行。

 特性优势:  
- 低导通电阻:减少传导损耗,提高整体效率。  
- 高雪崩能量能力:增强对瞬态电压的耐受能力。  
- 紧凑封装:如TO-220或PowerFLAT封装,便于散热和空间优化。

总结来说,STL40N10F7凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源领域,满足多种功率管理和控制需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL40N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STL40N10F7

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

24 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1320pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(5x6)

其它名称

497-13968-1

功率-最大值

70W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

24 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 5x6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

20 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

STL40N10F7

配置

Dual Dual Drain

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