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产品简介:
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ZXMN10A25KTC是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有100V漏源电压、10A连续漏极电流和较低的导通电阻,适用于需要高效功率控制的多种电子设备。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:该器件适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源电路中,以提高效率并减少热量产生。 2. 电机驱动:由于具备较高的电流承载能力和快速开关特性,ZXMN10A25KTC可用于直流电机或步进电机的驱动电路中。 3. 负载开关:在需要频繁接通与断开负载的应用(如LED照明、风扇控制)中,作为高效的电子开关使用。 4. 电池供电设备:适用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携式电子产品中的功率控制电路,有助于延长电池寿命。 5. 工业自动化:用于PLC、继电器模块、传感器供电控制等工业控制系统中,提供可靠的功率切换功能。 6. 汽车电子:可应用于车载充电系统、车灯控制、电动窗等场景,满足汽车环境中对稳定性和可靠性的要求。 综上,ZXMN10A25KTC凭借其高性能参数和可靠性,广泛适用于消费电子、工业控制及汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZXMN10A25KTC |
PCN其它 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 859pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 2.9A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | ZXMN10A25KTCTR |
功率-最大值 | 2.11W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.2A (Ta) |