Datasheet下载- 型号： NTD6416ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6416ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD6416ANT4G价格参考。ON SemiconductorNTD6416ANT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD6416ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD6416ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD6416ANT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号的晶体管广泛应用于各种电子电路中，以下是一些常见的应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - NTD6416ANT4G 可用于开关模式电源中的功率开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低功耗，提高效率。 - 应用场景包括适配器、充电器、DC-DC 转换器等。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，作为开关元件控制电机的启停和转速。 - 其快速开关特性和低损耗性能使其适合高频电机控制应用。 3. 负载开关 - 在电池供电设备中，NTD6416ANT4G 可用作负载开关，以实现对不同负载的动态管理，减少待机功耗。 - 常见于移动设备、笔记本电脑和其他便携式电子产品。 4. 逆变器 - 在太阳能逆变器或小型逆变器中，该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电，支持高效能量转换。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或热保护电路中，通过快速响应和切断电流来保护系统免受损坏。 - 例如，在 USB 充电端口或汽车电子系统中提供保护功能。 6. 音频放大器 - 在音频功率放大器中，NTD6416ANT4G 可作为输出级的开关元件，提供高效的信号放大和驱动能力。 7. 汽车电子 - 该 MOSFET 的高可靠性和耐高温性能使其适合汽车电子应用，如电动窗、座椅调节、雨刷控制等。 8. LED 驱动 - 在 LED 照明系统中，NTD6416ANT4G 可用于恒流源电路，确保 LED 的亮度稳定并延长其寿命。 特性总结： - 额定电压：60V，适合中低压应用。 - 额定电流：19A（连续漏极电流），支持较高负载。 - 低 Rds(on)：典型值为 45mΩ，减少导通损耗。 - 封装类型：TO-263-3（D2PAK），便于散热和安装。 综上所述，NTD6416ANT4G 以其高性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAKMOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD6416ANT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD6416ANT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 71 W |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 81 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 81 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 81 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD6416ANT4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 71W |
| 功率耗散 | 71 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 81 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 20 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 系列 | NTD6416AN |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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