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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB32N12V2TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB32N12V2TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB32N12V2TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB32N12V2TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB32N12V2TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB32N12V2TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于以下应用场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,其高效率和快速开关特性有助于提升电源系统的整体性能。 2. 电机控制:在电机驱动电路中作为功率开关使用,适用于工业自动化、电动工具和家电中的电机控制模块。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中用于实现电能的高效转换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(120V)和较强电流承载能力(32A),适合中高功率应用。其封装形式(如TO-252)便于散热和PCB安装,广泛应用于工业、消费电子及汽车领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB32N12V2TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 16A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 120V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |