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产品简介:
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DMN10H220L-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号因其低导通电阻(Rds(on))、小封装和高开关速度等特点,适合多种应用场景,具体如下: 1. 电源管理 DMN10H220L-13 常用于各种电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、负载开关和低压降稳压器(LDO)。其低导通电阻(典型值为 4.5mΩ)可减少功率损耗,提高效率,适用于便携式设备和电池供电产品。 2. 消费类电子 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费电子产品中。它可以用作负载开关或保护电路的一部分,提供过流保护和快速开关功能。 3. 电机驱动 在小型电机控制应用中,如风扇、振动马达或玩具电机,DMN10H220L-13 可用作驱动开关,支持高效的 PWM 控制。 4. 信号切换 由于其低电容和快速开关特性,该 MOSFET 适合用作信号切换元件,例如在音频或视频信号路径中实现多路复用。 5. 电池保护与充电 在锂电池保护电路和充电电路中,DMN10H220L-13 可用作开关元件,帮助防止过充、过放或短路情况发生。 6. 汽车电子 虽然该器件的电压和电流规格主要面向消费级应用,但在某些低功率汽车子系统中(如车内照明、传感器接口等),也可以使用。 总之,DMN10H220L-13 凭借其紧凑的 SOT-23-3 封装、低 Rds(on) 和高可靠性,非常适合需要高效、小型化解决方案的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN10H220L-13 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 401pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 1.6A,10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | DMN10H220L-13DITR |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Ta) |