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  • 型号: DMN10H220L-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN10H220L-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN10H220L-13价格参考。Diodes Inc.DMN10H220L-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN10H220L-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN10H220L-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMN10H220L-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号因其低导通电阻(Rds(on))、小封装和高开关速度等特点,适合多种应用场景,具体如下:

1. 电源管理  
   DMN10H220L-13 常用于各种电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、负载开关和低压降稳压器(LDO)。其低导通电阻(典型值为 4.5mΩ)可减少功率损耗,提高效率,适用于便携式设备和电池供电产品。

2. 消费类电子  
   该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费电子产品中。它可以用作负载开关或保护电路的一部分,提供过流保护和快速开关功能。

3. 电机驱动  
   在小型电机控制应用中,如风扇、振动马达或玩具电机,DMN10H220L-13 可用作驱动开关,支持高效的 PWM 控制。

4. 信号切换  
   由于其低电容和快速开关特性,该 MOSFET 适合用作信号切换元件,例如在音频或视频信号路径中实现多路复用。

5. 电池保护与充电  
   在锂电池保护电路和充电电路中,DMN10H220L-13 可用作开关元件,帮助防止过充、过放或短路情况发生。

6. 汽车电子  
   虽然该器件的电压和电流规格主要面向消费级应用,但在某些低功率汽车子系统中(如车内照明、传感器接口等),也可以使用。

总之,DMN10H220L-13 凭借其紧凑的 SOT-23-3 封装、低 Rds(on) 和高可靠性,非常适合需要高效、小型化解决方案的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN10H220L-13

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

401pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

220 毫欧 @ 1.6A,10V

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

DMN10H220L-13DITR

功率-最大值

1.3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

10,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A (Ta)

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