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Datasheet下载- 型号： PSMN028-100YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN028-100YS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN028-100YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN028-100YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN028-100YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN028-100YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN028-100YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN028-100YS,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID连续达120 A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，提升转换效率并降低温升； - 电机驱动与控制：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的H桥或半桥功率级，尤其适合电动工具、风扇、泵类等对开关速度和导通损耗敏感的应用； - 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低RDS(on)和快速开关特性，可用于电池保护电路中的充放电主控开关及过流保护开关； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中作为PWM调光开关或主功率开关，支持高频工作且发热小； - 热插拔与电源排序电路：配合驱动IC实现软启动、浪涌电流抑制及系统级电源管理。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.0–2.1 V），可直接由MCU或FPGA GPIO驱动，简化外围设计；LFPAK56封装兼顾高功率密度与良好散热，适合紧凑型高可靠性工业与通信设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 42A LFPAKMOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN028-100YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN028-100YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.7 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1634pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6543-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 52 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 42 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
