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  • 型号: NTD5862NT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTD5862NT4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5862NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5862NT4G价格参考¥5.17-¥5.17。ON SemiconductorNTD5862NT4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 98A(Tc) 115W(Tc) DPAK。您可以下载NTD5862NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD5862NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD5862NT4G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源(SMPS):  
   NTD5862NT4G 适用于各种开关电源设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它具有低导通电阻(Rds(on) 典型值为 3.5mΩ),能够高效地处理高电流负载,从而减少功率损耗并提高系统效率。

2. 电机驱动:  
   在小型直流电机或步进电机驱动电路中,该 MOSFET 可用作开关元件。其快速开关特性和低导通损耗使其非常适合高频 PWM 控制应用。

3. 电池管理:  
   用于锂电池保护板或其他电池管理系统 (BMS),作为充放电路径中的电子开关。凭借其低 Rds(on),可以降低功耗并延长设备运行时间。

4. 负载切换与保护:  
   在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑等,该器件可用于实现负载的快速接通和断开功能,同时提供过流保护。

5. 逆变器及 UPS 系统:  
   在不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器中,NTD5862NT4G 能够承担功率转换任务,确保稳定输出电压。

6. 音频放大器:  
   部分 D 类音频放大器也会采用此类 MOSFET 作为输出级开关元件,以实现高效能的声音重放。

7. 汽车电子:  
   虽然该型号未明确标注为车规级产品,但在非关键性车载应用中仍可能被使用,比如车窗升降器、座椅调节器等。

总之,NTD5862NT4G 凭借其优异的电气性能,在需要高效功率控制和低热耗散的各种工业、消费及通信领域都有广泛的应用前景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 98A DPAKMOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

98 A

Id-连续漏极电流

98 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

否无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5862NT4G-

mouser_ship_limit

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产品型号

NTD5862NT4G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

115 W

Pd-功率耗散

115 W

Qg-GateCharge

82 nC

Qg-栅极电荷

82 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

70 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

82nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.7 毫欧 @ 45A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NTD5862NT4GOSCT

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

115W

功率耗散

115 W

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.7 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

82 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

98 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

98A (Tc)

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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