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产品简介:
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NTB60N06LG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和高电流能力,广泛应用于各类电力电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,作为高效开关元件,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机的驱动电路,提供高电流输出和快速开关特性,增强电机控制性能。 3. 负载开关:在电源管理系统中作为负载开关使用,实现对负载的快速通断控制,保护电路免受过流或短路损害。 4. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、变频空调等设备中,作为核心开关器件,实现电能形式的转换。 5. 汽车电子:由于其良好的稳定性和耐高温性能,也常用于汽车电源系统、车载充电器等场景。 该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产,广泛适用于工业控制、消费电子及汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB60N06LG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3075pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 30A,5V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Ta) |