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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3806PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3806PBF价格参考。International RectifierIRFS3806PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFS3806PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS3806PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFS3806PBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): IRFS3806PBF适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率,减少功率损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFS3806PBF可以用于高频开关操作,实现高效的电能转换。 4. 负载开关: 用于需要快速开启和关闭负载的应用场景,例如汽车电子设备中的负载切换。 5. 电池管理系统(BMS): 在电池保护和管理电路中,该MOSFET可以用作充放电路径的开关,确保电池安全运行。 6. LED驱动: 适合大功率LED照明应用,用于调节电流以实现亮度控制。 7. 不间断电源(UPS): 作为关键组件之一,在UPS系统中执行能量存储与释放功能。 8. 工业自动化设备: 包括可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口及执行器驱动等领域。 9. 消费类电子产品: 如笔记本电脑适配器、游戏机电源模块等。 由于IRFS3806PBF具有较高的电流承载能力和耐压水平,同时具备良好的热性能,因此非常适合需要高效率、高可靠性的电力电子应用场合。在选择具体应用时,需根据实际需求考虑散热设计以及驱动电路匹配等问题。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAKMOSFET 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3806PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3806PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 71 W |
| Pd-功率耗散 | 71 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 15.8 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 71W |
| 功率耗散 | 71 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12.6 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 43 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 43A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb_s_sl3806pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb_s_sl3806pbf.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |