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  • 型号: FDMS3662
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDMS3662产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3662由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3662价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3662封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 8.9A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS3662参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS3662 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMS3662 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDMS3662 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关频率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,提供高效的能量转换。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器,提高效率并降低功耗。
   - 负载开关:用于控制电路的开启和关闭,保护系统免受过流或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机,支持高效的速度和方向控制。
   - H 桥电路:在 H 桥配置中使用 FDMS3662,可以实现双向电机控制,广泛应用于机器人、消费电子等领域。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池充放电保护:用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,防止过充、过放或短路。
   - 电流检测与限制:通过精确控制 MOSFET 的导通状态,实现对电池电流的监控和限制。

 4. 消费电子产品
   - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、蓝牙音箱等,FDMS3662 可用于电源管理模块,提供高效的电源切换和保护功能。
   - USB 充电端口保护:在 USB 接口电路中,用作过流保护开关,确保设备安全充电。

 5. 工业应用
   - 信号放大与驱动:在工业自动化设备中,用于驱动传感器、继电器或其他低功率负载。
   - 逆变器和变频器:在小功率逆变器或变频器中,作为功率级元件,实现交流信号的生成或调制。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器等低功率负载的控制,提供可靠的开关性能。
   - LED 照明驱动:用于汽车内外 LED 灯的驱动电路中,实现亮度调节和节能效果。

 总结
FDMS3662 凭借其低导通电阻、高效率和可靠性,适合多种低功率至中功率的应用场景,尤其在电源管理、电机驱动和电池保护领域表现出色。其紧凑的封装形式也使其成为空间受限设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.9 A

Id-连续漏极电流

8.9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3662PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDMS3662

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4620pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.8 毫欧 @ 8.9A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS3662DKR

典型关闭延迟时间

32 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

90 mg

商标

Fairchild Semiconductor

商标名

Power Stage

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PQFN,Power56

封装/箱体

Power 56-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 155 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.9A (Ta), 49A (Tc)

系列

FDMS3662

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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