ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6785MTRPBF
/IRF6785MTRPBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF6785MTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF6785MTRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6785MTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6785MTRPBF价格参考。International RectifierIRF6785MTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 3.4A（Ta），19A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） DIRECTFET™ MZ。您可以下载IRF6785MTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6785MTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6785MTRPBF的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单个分类。该器件是一款高性能、低导通电阻的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理与转换：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于通信设备、服务器及工业控制系统； 2. 电机控制：用于电动工具、无刷直流电机驱动及自动化设备中的功率开关； 3. 电池管理系统：在电动车、储能系统和便携式设备中实现高效的充放电控制； 4. 负载开关与继电器替代：因其快速开关能力和低损耗特性，适合用作高效率电子开关； 5. 照明系统：如LED驱动器，特别是在高亮度LED照明应用中提供稳定功率控制。 该MOSFET具有优良的热稳定性和高耐用性，适用于高温和高负载环境下工作，满足工业级可靠性要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6785MTRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MZ |
| 其它名称 | IRF6785MTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MZ |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta）， 19A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6785mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6785mpbf.spi |
