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SIHG22N60E-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG22N60E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG22N60E-E3价格参考。VishaySIHG22N60E-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC。您可以下载SIHG22N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG22N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHG22N60E-E3 是一款 N 沱增强型 MOSFET,具有 600 V 的击穿电压和低导通电阻(Rds(on)),适用于多种高压应用场合。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - 该 MOSFET 可用于开关电源中的高频开关器件,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 其高耐压特性使其适合于需要处理较高输入电压的场景,如工业电源、适配器和充电器。 2. 电机驱动 - 在电机控制中,SIHG22N60E-E3 可用作功率开关,驱动直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机。 - 它能够承受电机启动和运行时的瞬态高压,并提供高效的电流切换。 3. 逆变器 - 该器件适用于太阳能逆变器或 UPS 系统中的功率转换电路。 - 其高耐压和低导通电阻特性有助于提高效率并减少热量损耗。 4. PFC (功率因数校正) - 在功率因数校正电路中,MOSFET 被用作主开关器件。 - SIHG22N60E-E3 的快速开关速度和低 Rds(on) 有助于实现高效 PFC。 5. 负载开关 - 在需要频繁开启和关闭高电压负载的应用中,该 MOSFET 可作为负载开关使用。 - 例如,在工业设备或汽车电子系统中控制高压负载。 6. 保护电路 - 该器件可用于过流保护、短路保护或浪涌抑制电路。 - 其高耐压能力使其能够在恶劣环境下可靠工作。 7. 电动汽车和混合动力汽车 - 在车载充电器、DC-DC 转换器或辅助电源模块中,SIHG22N60E-E3 可以作为关键的功率开关元件。 总结 SIHG22N60E-E3 的高耐压(600 V)、低导通电阻(典型值为 0.22 Ω)和出色的开关性能,使其非常适合于各种高压、高频和高效率的应用场景。在选择具体应用时,需根据电路设计需求考虑其散热性能和驱动条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247ACMOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHG22N60E-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHG22N60E-E3SiHG22N60E-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 227 W |
| Pd-功率耗散 | 227 W |
| Qg-GateCharge | 57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | SIHG22N60EE3 |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 6.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |