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  • 型号: SIHG22N60E-E3
  • 制造商: Vishay
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SIHG22N60E-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHG22N60E-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHG22N60E-E3价格参考。VishaySIHG22N60E-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC。您可以下载SIHG22N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHG22N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SIHG22N60E-E3 是一款 N 沱增强型 MOSFET,具有 600 V 的击穿电压和低导通电阻(Rds(on)),适用于多种高压应用场合。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - 该 MOSFET 可用于开关电源中的高频开关器件,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
   - 其高耐压特性使其适合于需要处理较高输入电压的场景,如工业电源、适配器和充电器。

 2. 电机驱动
   - 在电机控制中,SIHG22N60E-E3 可用作功率开关,驱动直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机。
   - 它能够承受电机启动和运行时的瞬态高压,并提供高效的电流切换。

 3. 逆变器
   - 该器件适用于太阳能逆变器或 UPS 系统中的功率转换电路。
   - 其高耐压和低导通电阻特性有助于提高效率并减少热量损耗。

 4. PFC (功率因数校正)
   - 在功率因数校正电路中,MOSFET 被用作主开关器件。
   - SIHG22N60E-E3 的快速开关速度和低 Rds(on) 有助于实现高效 PFC。

 5. 负载开关
   - 在需要频繁开启和关闭高电压负载的应用中,该 MOSFET 可作为负载开关使用。
   - 例如,在工业设备或汽车电子系统中控制高压负载。

 6. 保护电路
   - 该器件可用于过流保护、短路保护或浪涌抑制电路。
   - 其高耐压能力使其能够在恶劣环境下可靠工作。

 7. 电动汽车和混合动力汽车
   - 在车载充电器、DC-DC 转换器或辅助电源模块中,SIHG22N60E-E3 可以作为关键的功率开关元件。

 总结
SIHG22N60E-E3 的高耐压(600 V)、低导通电阻(典型值为 0.22 Ω)和出色的开关性能,使其非常适合于各种高压、高频和高效率的应用场景。在选择具体应用时,需根据电路设计需求考虑其散热性能和驱动条件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 21A TO247ACMOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHG22N60E-E3-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIHG22N60E-E3SiHG22N60E-E3

Pd-PowerDissipation

227 W

Pd-功率耗散

227 W

Qg-GateCharge

57 nC

Qg-栅极电荷

57 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1920pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

86nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 11A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

SIHG22N60EE3

功率-最大值

227W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

正向跨导-最小值

6.4 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Tc)

系列

E

配置

Single

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