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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB86102LZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB86102LZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDB86102LZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB86102LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB86102LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB86102LZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于高效率功率转换和电源管理系统。其应用场景主要包括: 1. DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的高效能电源模块。 2. 负载开关与电源管理:用于控制电源通断,实现低功耗模式管理。 3. 电机驱动电路:在小型电机或风扇控制中作为开关元件使用。 4. 电池供电设备:如移动电源、电动工具等,因其导通电阻低、效率高。 5. 同步整流:用于提高电源转换效率,减少发热。 该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能,适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 30A D2PAKMOSFET 100V NCHAN PwrTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB86102LZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB86102LZ |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1275pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 8.3A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 其它名称 | FDB86102LZDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta), 30A (Tc) |
| 系列 | FDB86102LZ |