Datasheet下载- 型号： PMXB120EPEZ
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMXB120EPEZ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMXB120EPEZ价格参考。NXP SemiconductorsPMXB120EPEZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMXB120EPEZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMXB120EPEZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMXB120EPEZ 是一款P沟道增强型MOSFET，采用无铅、符合RoHS标准的封装，适用于多种低电压、中等电流的电源管理与开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高可靠性及良好的热稳定性，适合在便携式电子设备和工业控制电路中使用。 典型应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的负载开关或电源切换电路；电池供电系统的反向极性保护和电池管理模块；DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关；以及各类小型电机驱动、LED驱动电路和电源多路复用设计。 由于其小尺寸封装（如DFN1010D-3）和优异的电气性能，PMXB120EPEZ特别适合空间受限、注重能效与待机功耗优化的设计。此外，在汽车电子中的车载信息终端、传感器模块等非动力系统中也有广泛应用潜力。整体而言，该MOSFET适用于需要高效、紧凑、可靠开关解决方案的低压直流系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V DFN1010D-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PMXB120EPEZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 309pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2.4A， 10V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN （1.1x1） |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
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