Datasheet下载- 型号： FQD12N20LTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD12N20LTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD12N20LTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD12N20LTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD12N20LTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD12N20LTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD12N20LTF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FQD12N20LTF 的高电压耐受能力（200V 额定电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如，在 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器。 2. 电机驱动 - 由于其低导通电阻（Rds(on) = 0.45Ω @ Vgs=10V）和快速开关特性，这款 MOSFET 可以高效地用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，实现对电流的精确控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的功率逆变器中，FQD12N20LTF 可用作功率级开关元件，将直流电转换为交流电。 4. 负载切换 - 该器件适用于需要频繁开启/关闭高电流负载的应用场景，如汽车电子中的负载切换、LED 照明控制等。 5. 保护电路 - 利用其低导通电阻和高击穿电压的特点，FQD12N20LTF 可以设计到过流保护、短路保护或电池管理系统的保护电路中。 6. 音频放大器 - 在一些功率音频放大器中，这款 MOSFET 可以用作输出级器件，提供高效的功率传输并减少热量产生。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中，FQD12N20LTF 可用于驱动电磁阀、继电器或其他执行机构，满足高压和大电流的需求。 总结 FQD12N20LTF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子以及绿色能源等领域。具体选择时需根据实际电路需求考虑散热设计和驱动条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD12N20LTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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