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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1SS352,H3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1SS352,H3F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.1SS352,H3F封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 标准 表面贴装 二极管 80V 100mA SC-76-2。您可以下载1SS352,H3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1SS352,H3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储品牌下的1SS352,H3F是一款高性能的锗肖特基势垒二极管,属于二极管-整流器-单类器件。该型号因其低正向导通电压(典型值约0.25V)和快速开关特性,广泛应用于对信号检波、高频整流和小电流整流要求较高的场景。 1SS352,H3F常用于便携式通信设备,如手机、无线耳机和蓝牙模块中,作为高频信号检波或保护电路中的钳位元件。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备,有助于延长续航时间。此外,在音频设备、FM收音模块及电视调谐器中,该二极管可用于高频信号处理,提升接收灵敏度与稳定性。 由于采用小型表面贴装SOD-323(SC-70)封装,1SS352,H3F适合高密度PCB布局,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等空间受限的电子产品中。其快速响应能力也支持在瞬态电压抑制和静电保护(ESD保护)电路中使用,增强系统可靠性。 综上,1SS352,H3F凭借其低VF、高速开关和小尺寸优势,主要应用于高频信号检波、小电流整流、便携式电子设备及各类消费类通信产品中,是现代微型化电子系统中的关键元件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SW 80V 100MA USC二极管 - 通用,功率,开关 0.1A 80V Switching High-Speed Diode |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=1SS352&lang=en |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,Toshiba 1SS352,H3F- |
数据手册 | |
产品型号 | 1SS352,H3F1SS352,H3F |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 100mA |
不同 Vr、F时的电容 | 3pF @ 0V,1MHz |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 80V |
二极管类型 | 标准 |
产品 | Switching Diodes |
产品种类 | 二极管 - 通用,功率,开关 |
供应商器件封装 | SC-76-2 |
其它名称 | 1SS352H3FCT |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | 4ns |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-76A |
封装/箱体 | SOD-323 |
峰值反向电压 | 85 V |
工作温度-结 | 125°C (最大) |
工厂包装数量 | 3000 |
最大二极管电容 | 3 pF |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大浪涌电流 | 1 A |
标准包装 | 1 |
正向连续电流 | 100 mA |
热阻 | - |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 80V |
电流-平均整流(Io) | 100mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
配置 | Single |