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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STN1HNK60由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN1HNK60价格参考¥3.04-¥3.04。STMicroelectronicsSTN1HNK60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223。您可以下载STN1HNK60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STN1HNK60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的型号为STN1HNK60的晶体管是一款高压、高速的N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件。该器件主要设计用于高效率开关应用,具备600V的漏源击穿电压和较高的耐压能力,适用于需要高电压隔离和高效能转换的场景。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛应用于AC-DC和DC-DC转换器中,如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动电源等,因其低导通电阻和快速开关特性,有助于提升能效并减少发热。 2. 照明系统:常用于LED照明驱动电路,支持高亮度LED的恒流控制,满足节能和长寿命需求。 3. 电机驱动:适用于小型家电或工业设备中的低压直流电机控制模块,提供可靠且高效的功率开关功能。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能微逆变器等设备中作为核心开关元件,实现电能的高效转换与管理。 5. 高频电子镇流器:用于荧光灯、节能灯等照明设备中,实现高频稳定运行。 STN1HNK60采用先进的制程技术,具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,适合紧凑型高密度电源设计。其封装形式便于散热和PCB布局,广泛用于消费电子、工业控制及绿色能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STN1HNK60SuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STN1HNK60 |
| Pd-PowerDissipation | 3.3 W |
| Pd-功率耗散 | 3.3 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 156pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | 497-4668-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF89181?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA (Tc) |
| 系列 | STN1HNK60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |