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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3105TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3105TRPBF价格参考¥2.81-¥6.50。International RectifierIRLR3105TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR3105TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3105TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRLR3105TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和电源管理的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,实现高效的能量传输与管理。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化中,作为电机驱动电路中的关键开关元件。 3. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)、LED照明驱动等,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、电源适配器、移动电源等设备中的功率转换电路。 5. 工业控制系统:用于PLC、伺服驱动器、传感器供电模块等,提供稳定快速的开关性能。 该器件具有低导通电阻、高频率响应和良好的热稳定性,适合高频开关应用,同时采用TSSOP封装,节省空间,适用于紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 25A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3105TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR3105TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR3105TRPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 功率耗散 | 57 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 43 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 25 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru3105.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru3105.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |