ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDV303N_NB9U008
Datasheet下载- 型号： FDV303N_NB9U008
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDV303N_NB9U008由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDV303N_NB9U008价格参考。Fairchild SemiconductorFDV303N_NB9U008封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23。您可以下载FDV303N_NB9U008参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDV303N_NB9U008 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDV303N_NB9U008 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于低电压、低功耗的场效应晶体管，广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：由于该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗要求严格的场合，常用于电源开关或负载切换。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、LDO使能控制或电源多路复用电路中，FDV303N可用于高效地控制电源通断，提升系统能效。 3. 信号开关应用：因其快速开关特性和小封装（如SC-70或SOT-765），适用于模拟或数字信号路径中的开关控制，例如音频信号切换或传感器使能控制。 4. 电池供电设备：在蓝牙耳机、物联网终端、无线传感器节点等低功耗系统中，该MOSFET可用于电池隔离或休眠模式下的电源关断，以延长续航时间。 5. 逻辑电平转换：可配合其他元件实现不同电压域之间的信号电平转换，适用于微控制器与外围器件之间的接口电路。 综上所述，FDV303N_NB9U008凭借其小型化封装、低功耗特性及高可靠性，广泛服务于消费电子、工业控制和通信设备中的开关与电源管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDV303N_NB9U008 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 680mA （Ta） |
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