Datasheet下载- 型号： CSD18532Q5B
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18532Q5B由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18532Q5B价格参考。Texas InstrumentsCSD18532Q5B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD18532Q5B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD18532Q5B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18532Q5B 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 主要应用于以下场景： 1. 电源管理： CSD18532Q5B 适用于各种开关电源（SMPS）设计，包括 DC-DC 转换器、降压/升压转换器和负载点（POL）转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，CSD18532Q5B 可用作功率级元件，支持高效、可靠的电机控制。它适合无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他低功率电机驱动系统。 3. 电池管理系统（BMS）： 该 MOSFET 可用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关或电流限制元件，确保电池的安全运行并延长使用寿命。 4. 负载切换： 在需要快速、高效地切换负载的应用中，例如 USB 充电器、便携式设备电源管理单元（PMU），CSD18532Q5B 提供了低损耗和高可靠性的解决方案。 5. 工业自动化： 在工业领域，CSD18532Q5B 可用于控制信号放大、传感器接口以及各类工业设备中的功率切换功能。 6. 消费电子： 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器等消费电子产品中，该器件可用于高效能的电源管理模块。 CSD18532Q5B 的优势在于其优化的电气性能（如低 Rds(on) 和栅极电荷 Qg），使其能够在高频开关应用中表现出色，同时保持较低的热耗散。这使得它成为许多现代电子系统中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 23A 8VSONMOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 172 A |
| Id-连续漏极电流 | 172 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18532Q5BNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD18532Q5B |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 7.2 ns |
| 下降时间 | 3.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5070pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-35628-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18532Q5B |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 143 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A（Ta）， 100A（Tc） |
| 系列 | CSD18532Q5B |
| 配置 | Single |
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