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Datasheet下载- 型号： VN10LFTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VN10LFTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN10LFTA价格参考。Diodes Inc.VN10LFTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 150mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载VN10LFTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VN10LFTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VN10LFTA 是德州仪器（Texas Instruments）推出的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-92 封装，具有低导通电阻（Rds(on) ≈ 5.0 Ω @ Vgs=10V）、低阈值电压（Vgs(th) 典型值约 1.5–2.5 V）及小电流能力（ID 最大 380 mA），适合低压、低功耗开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理：如便携式仪器、遥控器、玩具等中用于电池与负载间的电子开关，其低阈值特性可由 3.3 V 或甚至 2.5 V MCU GPIO 直接驱动，无需电平转换。 ✅ LED 控制电路：驱动单颗或小串 LED（如指示灯、背光），实现 PWM 调光或启停控制，TO-92 封装便于紧凑布局。 ✅ 信号/逻辑电平切换：在数字系统中作电平移位或负载开关，例如将微控制器输出扩展为稍高电流驱动能力的接口。 ✅ 继电器替代方案：在低频、小功率场合（如家电待机控制、传感器使能电路）中替代机械继电器，提升可靠性与响应速度。 注意：因 ID 较小且无内置体二极管续流保护，不适用于电机驱动、反激电源主开关或需承受反向感性负载的场景；也不推荐用于高频（>100 kHz）开关应用。实际使用时建议加限流电阻保护栅极，并注意 PCB 散热（虽功耗低，但 TO-92 热阻较高）。 综上，VN10LFTA 主要面向成本敏感、空间受限、低压低电流的通用开关需求，是入门级嵌入式系统中简单可靠的分立MOSFET选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3MOSFET N-Ch 60V 3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | 150 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated VN10LFTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VN10LFTA |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | VN10LFDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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