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  • 型号: IXTX600N04T2
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX600N04T2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX600N04T2价格参考。IXYSIXTX600N04T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTX600N04T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX600N04T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247门驱动器 GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

产品分类

FET - 单集成电路 - IC

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

电源管理 IC,门驱动器,IXYS IXTX600N04T2TrenchT2™ GigaMOS™

数据手册

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产品型号

IXTX600N04T2

上升时间

20 ns

下降时间

250 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

40000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

590nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 毫欧 @ 100A,10V

产品

MOSFET Gate Drivers

产品种类

门驱动器

供应商器件封装

PLUS247™-3

功率-最大值

1250W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

PLUS-247

工厂包装数量

30

最大关闭延迟时间

90 ns

最大功率耗散

1250 W

最大工作温度

+ 175 C

最大开启延迟时间

40 ns

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

40V

激励器数量

1 Driver

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

600A (Tc)

电源电流

200 A

类型

TrenchT2 GigaMOS

系列

IXTX600N04

输出电压

40 V

输出电流

600 A

输出端数量

1

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