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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTX600N04T2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTX600N04T2价格参考。IXYSIXTX600N04T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTX600N04T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTX600N04T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTX600N04T2是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要高效、高电流和低导通电阻的电力电子系统。该器件具有600A的连续漏极电流能力,40V的漏源击穿电压,适用于高功率密度设计。以下是其典型应用场景: 1. 电源转换系统:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,其低导通电阻(Rds(on))可降低导通损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动:用于工业电机控制、电动汽车电机控制器中,支持大电流工作,满足高扭矩和高频开关需求。 3. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)和光伏逆变器,提供高可靠性和快速开关性能,提升能源转换效率。 4. 电池管理系统(BMS):用于高功率电池充放电控制,具备良好的热稳定性和过载能力。 5. 工业自动化设备:如伺服驱动器、变频器等,适用于对功率和散热要求较高的控制模块。 该MOSFET采用TO-264封装,便于散热设计,适合在高功率应用场景中使用。由于其高电流能力和优良的热性能,IXTX600N04T2广泛应用于工业、汽车及新能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247门驱动器 GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单集成电路 - IC |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,IXYS IXTX600N04T2TrenchT2™ GigaMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTX600N04T2 |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 590nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 毫欧 @ 100A,10V |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大关闭延迟时间 | 90 ns |
| 最大功率耗散 | 1250 W |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大开启延迟时间 | 40 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 激励器数量 | 1 Driver |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 600A (Tc) |
| 电源电流 | 200 A |
| 类型 | TrenchT2 GigaMOS |
| 系列 | IXTX600N04 |
| 输出电压 | 40 V |
| 输出电流 | 600 A |
| 输出端数量 | 1 |