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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N40CT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N40CT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF6N40CT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF6N40CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF6N40CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF6N40CT是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适合中高功率场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于AC-DC转换电路中,提高转换效率并减小体积。 2. DC-DC转换器:在升降压电路中作为开关元件,实现高效能量传输。 3. 电机驱动:适用于电动工具、电动车及工业自动化中的电机控制电路。 4. 照明系统:如LED驱动电源,支持高亮度LED的稳定工作。 5. 家电控制:用于电磁炉、变频空调等家电中的功率调节模块。 此外,该MOSFET也可用于逆变器、电池管理系统(BMS)以及太阳能逆变器等新能源相关设备中。因其具备良好的热稳定性和可靠性,适用于对性能和寿命有较高要求的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF6N40CT |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 3A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 38W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |