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Datasheet下载- 型号： FDT86244
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDT86244产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86244由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86244价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86244封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 150V 2.8A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4。您可以下载FDT86244参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDT86244 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDT86244是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管产品系列。该器件主要面向高效率、低电压开关应用，广泛用于便携式电子设备和电源管理系统中。 FDT86244典型的应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电源排序电路，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少功耗，提高能效。 2. 电池供电设备：常见于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中，用于电池充放电控制和电源路径管理。 3. 电机驱动与继电器驱动：在小功率电机或继电器的开关控制中，FDT86244可作为高效开关元件，实现快速响应和低损耗。 4. 热插拔电路：用于防止带电插拔时的电流冲击，保护系统电路。 5. LED背光驱动：在LCD显示屏的背光控制中，作为开关调节电流通断。 该MOSFET采用小型封装（如PowerTSSOP或DFN），适合空间受限的高密度PCB设计。其低栅极电荷和快速开关特性有助于提升系统响应速度并降低开关损耗，特别适用于高频开关环境。 总体而言，FDT86244凭借其高性能参数和紧凑设计，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中的低电压、高效率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86244PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDT86244 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| Qg-GateCharge | 4.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 128 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 128 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| 上升时间 | 1.3 ns |
| 下降时间 | 2.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 395pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 128 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FDT86244DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.8 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 250.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
| 系列 | FDT86244 |
| 配置 | Single |
