ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > PMN48XP,125
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN48XP,125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN48XP,125价格参考。NXP SemiconductorsPMN48XP,125封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 4.1A(Ta) 530mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP。您可以下载PMN48XP,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMN48XP,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 PMN48XP,125 是一款单通道 MOSFET 晶体管,具体应用场景如下: 1. 电源管理 PMN48XP,125 适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高效率电源转换应用中表现出色,能够减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动 该器件可以用于小型电机驱动电路中,例如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等。MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻有助于实现高效的电机控制,同时减少发热和能量损失。 3. 负载切换 PMN48XP,125 可以用作负载切换开关,广泛应用于消费电子设备、工业控制系统和汽车电子中。它能够在需要时迅速切断或接通负载电流,确保系统的安全性和稳定性。 4. 信号处理 在某些信号处理电路中,MOSFET 可以作为模拟开关使用。PMN48XP,125 的低栅极电荷(Qg)使其具备快速响应能力,适合用于高频信号处理场合,如音频放大器、数据采集系统等。 5. 保护电路 该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测电流并通过MOSFET快速切断电流路径,可以有效防止因过载或短路引起的损坏。 6. 通信设备 在通信设备中,PMN48XP,125 可用于电源管理和信号切换,确保设备在不同工作模式下的稳定运行。其紧凑的封装形式也有助于节省空间,满足现代通信设备对小型化的需求。 总之,PMN48XP,125 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多种应用场景中都能发挥重要作用,特别是在需要高效、快速响应和低功耗的电路设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 4.1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN48XP,125- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN48XP,125 |
| Pd-PowerDissipation | 6250 mW |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10803-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 48 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 4.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |