ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4435BDY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4435BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4435BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4435BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4435BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4435BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4435BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4435BDY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管中的 FET 类别。该器件采用小型 TDFN（双侧无引线）封装，具有低导通电阻和高开关效率，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。 其主要应用场景包括便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理中的负载开关、电池供电路径控制或背光驱动等。由于其低阈值电压特性，适合由低压逻辑信号直接驱动，广泛用于 DC-DC 转换电路中的同步整流或高端/低端开关控制。 此外，SI4435BDY-T1-E3 也适用于工业控制模块、电源热插拔电路以及需要高效能功率开关的小型化系统。其高可靠性与优良的热性能使其在消费类电子和嵌入式系统中表现优异。总体而言，该 MOSFET 特别适合要求高效率、小尺寸和低功耗的现代电子产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4435BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 9.1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4435BDY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
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