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  • 型号: IXFT12N100Q
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT12N100Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT12N100Q价格参考。IXYSIXFT12N100Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT12N100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT12N100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFT12N100Q是一款高压增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具有1000V的高耐压和12A的连续漏极电流能力。该器件采用TO-247封装,具备良好的热稳定性和高可靠性,适用于高电压、中等功率的开关应用。

典型应用场景包括:

1. 高压电源系统:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流器中,尤其在需要1000V耐压等级的工业电源中表现优异。

2. 太阳能逆变器:在光伏系统中,IXFT12N100Q可用于直流侧的功率转换电路,承受高电压波动,提升系统效率与稳定性。

3. 电机驱动:适用于工业电机控制和高压直流电机驱动,作为主开关元件实现高效能量转换。

4. 电焊机与感应加热设备:因其具备快速开关能力和高耐压特性,适合高频硬开关或谐振拓扑结构,提升设备响应速度与能效。

5. 电力输配与保护装置:用于高压继电器替代、固态断路器等智能电网相关设备中,提供可靠的电子开关功能。

6. 医疗与特种电源:如X光机、激光电源等对安全性和稳定性要求高的高压供电模块。

该MOSFET还具备低栅极电荷和导通电阻,有助于降低开关损耗,提高系统整体效率。其坚固的结构设计也适合在高温、高电磁干扰的工业环境中长期稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFT12N100Q

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

90nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.05 欧姆 @ 6A,10V

供应商器件封装

TO-268

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

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