Datasheet下载- 型号： SUD35N10-26P-T4GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD35N10-26P-T4GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD35N10-26P-T4GE3价格参考。VishaySUD35N10-26P-T4GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUD35N10-26P-T4GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD35N10-26P-T4GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD35N10-26P-T4GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中作为高速开关使用。 3. 电池管理系统：用于电动工具、电动车及储能系统中的充放电控制。 4. 负载开关与热插拔控制：在服务器、通信设备中用于实现对负载的快速通断控制。 5. 工业自动化与控制系统：用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业设备中进行功率切换。 6. 汽车电子：适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET因其良好的导通特性和封装散热性能，适合于中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD35N10-26P-T4GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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