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  • 型号: SMMBTA06LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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SMMBTA06LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SMMBTA06LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMBTA06LT1G价格参考¥0.50-¥0.82。ON SemiconductorSMMBTA06LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23。您可以下载SMMBTA06LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMBTA06LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的SMMBTA06LT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。其主要应用场景包括:

1. 开关电路:常用于低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机或逻辑电路中的电平转换,因其具备良好的饱和特性与快速响应能力。

2. 信号放大:适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路,广泛用于消费类电子产品如便携式设备、音频放大器前置级等。

3. 电源管理:在DC-DC转换器、电压调节器中作为控制元件,配合其他器件实现稳压或电流控制功能。

4. 通信设备:用于射频(RF)前端模块或接口电路中进行信号调制与处理,适合高频小信号应用(其fT达300MHz)。

5. 工业控制与汽车电子:得益于ON Semiconductor在汽车级元器件方面的可靠性认证,该型号可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(如车窗、灯光控制)等环境较严苛的场景。

SMMBTA06LT1G采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的便携式设备和PCB空间受限的应用。其最大集电极电流可达500mA,耐压VCEO为64V,兼顾性能与稳定性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具有无铅、绿色封装设计,适用于现代环保电子产品制造。

综上,SMMBTA06LT1G是一款高性价比、高可靠性的通用晶体管,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制及通信设备中的信号放大与开关控制场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DRIVER SS NPN 80V SOT23两极晶体管 - BJT SS DR XSTR SPCL TR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SMMBTA06LT1G-

数据手册

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产品型号

SMMBTA06LT1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

SMMBTA06LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

4 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

100

系列

SMMBTA06L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

500 mA

频率-跃迁

100MHz

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