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  • 型号: PMST5550,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMST5550,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMST5550,115价格参考。NXP SemiconductorsPMST5550,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 140V 300mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323-3。您可以下载PMST5550,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMST5550,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMST5550,115(NXP USA Inc.)是一款通用型NPN硅外延平面双极结型晶体管(BJT),采用SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,具有高电压、中等电流特性(VCEO = 160 V,IC = 600 mA,PD ≈ 250 mW)。其典型应用场景包括:

1. 小信号放大:适用于音频前置放大、传感器信号调理等低噪声、中频放大电路;  
2. 开关控制:广泛用于微控制器(如MCU、ARM)IO口驱动继电器、LED、小型电磁阀或MOSFET栅极,因其高增益(hFE = 80–250 @ IC=10 mA)和快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒);  
3. 电源管理辅助电路:在DC-DC转换器、LDO稳压器中用作使能控制、过压保护或基准电压切换;  
4. 工业与消费电子接口电路:如电平转换、脉冲整形、逻辑反相及隔离驱动,尤其适合空间受限的便携设备(如IoT传感器节点、可穿戴设备);  
5. 教育与原型开发:因参数稳定、易用性强,常用于电子教学实验与快速验证设计。

注意:该器件不适用于大功率或高频射频(RF)主放大,也不推荐在接近极限参数(如高温、高电压)下长期连续工作。实际应用中需合理设计基极限流电阻,并考虑热降额。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 140V 300MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMST5550,115-

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产品型号

PMST5550,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934030860115
PMST5550 T/R
PMST5550 T/R-ND

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

140V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

60 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

60 at 1 mA at 5 V, 60 at 10 mA at 5 V, 20 at 50 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

140 V

集电极—基极电压VCBO

160 V

零件号别名

PMST5550 T/R

频率-跃迁

300MHz

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