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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMST5550,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMST5550,115价格参考。NXP SemiconductorsPMST5550,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 140V 300mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323-3。您可以下载PMST5550,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMST5550,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMST5550,115(NXP USA Inc.)是一款通用型NPN硅外延平面双极结型晶体管(BJT),采用SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装,具有高电压、中等电流特性(VCEO = 160 V,IC = 600 mA,PD ≈ 250 mW)。其典型应用场景包括: 1. 小信号放大:适用于音频前置放大、传感器信号调理等低噪声、中频放大电路; 2. 开关控制:广泛用于微控制器(如MCU、ARM)IO口驱动继电器、LED、小型电磁阀或MOSFET栅极,因其高增益(hFE = 80–250 @ IC=10 mA)和快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒); 3. 电源管理辅助电路:在DC-DC转换器、LDO稳压器中用作使能控制、过压保护或基准电压切换; 4. 工业与消费电子接口电路:如电平转换、脉冲整形、逻辑反相及隔离驱动,尤其适合空间受限的便携设备(如IoT传感器节点、可穿戴设备); 5. 教育与原型开发:因参数稳定、易用性强,常用于电子教学实验与快速验证设计。 注意:该器件不适用于大功率或高频射频(RF)主放大,也不推荐在接近极限参数(如高温、高电压)下长期连续工作。实际应用中需合理设计基极限流电阻,并考虑热降额。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 140V 300MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMST5550,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMST5550,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934030860115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 140V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 300mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 at 1 mA at 5 V, 60 at 10 mA at 5 V, 20 at 50 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 140 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 零件号别名 | PMST5550 T/R |
| 频率-跃迁 | 300MHz |