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  • 型号: FZT855TC
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FZT855TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT855TC价格参考。Diodes Inc.FZT855TC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FZT855TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT855TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FZT855TC是Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的开关特性,适用于多种电子电路设计。

FZT855TC的典型应用场景包括:

1. 开关电路:由于其良好的饱和压降和快速开关特性,FZT855TC常用于数字电路中的开关元件,如电源管理、继电器驱动、LED驱动等。

2. 放大电路:该晶体管可用于音频放大器、信号放大器等模拟电路中,作为前置放大或功率放大元件。

3. 电源控制:在DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电源相关应用中,FZT855TC可作为高电流开关使用。

4. 工业控制:在工业自动化设备中,该晶体管可用于控制执行机构如电磁阀、马达或继电器的动作。

5. 消费类电子产品:如电视、音响设备、充电器等产品中,用于信号处理或电源调节电路中。

FZT855TC采用SOT-223封装,具有较好的散热性能,适合在中功率应用中使用。其设计兼顾性能与成本,广泛应用于各类中低频、中功率电路中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN HI CURRENT SOT223

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

FZT855TC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

355mV @ 500mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1A,5V

供应商器件封装

SOT-223

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

晶体管类型

NPN

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

150V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

90MHz

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