Datasheet下载- 型号： KSD2012GTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSD2012GTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSD2012GTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSD2012GTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSD2012GTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSD2012GTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSD2012GTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的晶体管通常应用于需要高效开关和信号放大的场景中，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - KSD2012GTU 可用于各种电源管理电路中，例如稳压器、电压调节器或开关电源中的驱动部分。 - 在低功耗应用中，它可以用作简单的开关元件来控制负载的通断。 2. 信号放大 - 该晶体管适用于音频信号放大器中，用于放大微弱的输入信号以驱动扬声器或其他音频设备。 - 在工业控制领域，可用于放大传感器输出的弱电信号。 3. 电机控制 - 在小型直流电机驱动电路中，KSD2012GTU 可作为开关或放大元件，用于控制电机的启动、停止或速度调节。 - 它也可以用于继电器驱动或电磁阀控制电路中。 4. 逻辑电平转换 - 该晶体管可以用于将低电平信号转换为高电平信号，或者在不同逻辑电平之间进行转换。 - 常见于嵌入式系统中，将微控制器的输出信号放大到更高的功率水平。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或过热保护电路中，KSD2012GTU 可用作开关元件，快速切断故障电流路径。 6. 通信与接口电路 - 该晶体管可用作调制解调器中的信号放大器，或在数据传输接口中实现信号增强。 - 在 RS-232 或其他串行通信接口中，可作为电平转换或信号驱动元件。 性能特点 KSD2012GTU 的典型特点是具有较高的增益（hFE）、较低的饱和电压和较快的开关速度，适合在中小功率范围内工作。其封装形式通常为 TO-92 或类似的小型封装，适用于空间受限的设计环境。 总之，KSD2012GTU 广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域，是一款性能稳定且成本效益高的双极型晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSD2012GTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSD2012GTU |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220F-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 25 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 320 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | KSD2012 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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