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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6286G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6286G价格参考。ON Semiconductor2N6286G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6286G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6286G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2N6286G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于功率放大和开关应用类器件。该型号广泛应用于需要中高功率处理能力的电子电路中。典型应用场景包括音频放大器的输出级、电源管理电路中的开关元件、电机驱动电路以及各类工业控制设备中的功率放大环节。由于其具备较高的集电极电流和耐压能力,2N6286G适合在要求稳定性和可靠性的环境中工作,如家用电器控制模块、照明镇流器、直流电源转换系统等。此外,该器件也常用于替代老式功率晶体管,在消费电子与工业电子设备的维修和升级中具有较高兼容性。其符合RoHS标准的绿色封装(G后缀表示无铅)使其适用于现代环保要求较高的电子产品设计。总体而言,2N6286G凭借良好的热稳定性、可靠的电气性能和广泛的工作范围,成为多种中功率模拟与数字电路中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL PNP 20A 80V TO-3达林顿晶体管 20A 80V Bipolar Power PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6286G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N6286G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 200mA,20A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 750 @ 10A,3V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - Darlington |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | 2N6286G-ND |
| 功率-最大值 | 160W |
| 功率耗散 | 160 W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA,TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 20 A |
| 最大集电极截止电流 | 500 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100, 750 |
| 系列 | 2N6286 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 20 A |
| 频率-跃迁 | - |