Datasheet下载- 型号： PHD13003C,126
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHD13003C,126由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHD13003C,126价格参考。NXP SemiconductorsPHD13003C,126封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHD13003C,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHD13003C,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHD13003C,126 是 NXP USA Inc. 推出的一款 NPN 型双极结型晶体管（BJT），具有高电压（VCEO = 700 V）、中等电流（IC = 2 A）、高增益（hFE 典型值 20–100）及快速开关特性，采用 TO-92 封装，适合低成本、中小功率应用。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）辅助电路：用于反激式或准谐振变换器中的启动电路、光耦反馈驱动、待机电源控制等，利用其高压耐受能力可靠隔离主/辅回路； 2. LED 驱动电路：作为恒流调节开关或 PWM 调光开关，驱动中小功率 LED 模块（如照明灯条、指示光源）； 3. 家电与工业控制：在电磁炉、微波炉、电机驱动板中用作继电器驱动、风扇控制、保护电路中的信号放大或通断开关； 4. 电源适配器与充电器：用于初级侧的过压/过流检测信号处理、反馈环路接口或待机模式下的低压逻辑电平转换； 5. 通用数字/模拟开关：替代小功率MOSFET，在单片机IO口驱动能力不足时，放大控制信号以驱动蜂鸣器、小型电磁阀或LED阵列。 需注意：该器件非为高频射频或大功率音频输出设计，不推荐用于连续大电流（>1A）或高频率（>100 kHz）硬开关主功率级。实际应用中建议配合基极限流电阻，并注意散热与SOA（安全工作区）裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 400V 1.5A SOT54两极晶体管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PHD13003C,126- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHD13003C,126 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 500mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 5 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 934063921126 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极连续电流 | 1.5 A |
| 频率-跃迁 | - |
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