Datasheet下载- 型号： IXFQ60N50P3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFQ60N50P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFQ60N50P3价格参考。IXYSIXFQ60N50P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFQ60N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFQ60N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFQ60N50P3是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具有高电压、大电流和低导通电阻的特点。其主要参数包括500V的漏源击穿电压（Vds）和高达60A的连续漏极电流，适用于高功率开关应用。 该型号广泛应用于工业电力控制领域，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和逆变器中，能够高效实现电能转换与调节。由于其具备良好的热稳定性和快速开关特性，也常用于电机驱动系统，例如交流伺服驱动器和电动工具控制器，有助于提升系统响应速度与能效。 此外，IXFQ60N50P3还适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器及焊接设备等需要高可靠性和耐压能力的场合。其封装形式利于散热设计，适合在高温或重负载环境下长期稳定运行。总之，该MOSFET特别适用于要求高效率、高耐压和高电流承载能力的中高功率电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 60A TO3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFQ60N50P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar3™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 1040W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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