Datasheet下载- 型号： FDB20AN06A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB20AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB20AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDB20AN06A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB20AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB20AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB20AN06A0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高电源效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源系统。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机和无刷电机驱动电路中作为开关元件，用于工业自动化和电动工具。 3. 电池管理系统：应用于电动车、储能系统和便携设备中，实现电池充放电控制与保护。 4. 照明系统：用于LED驱动电路，支持高亮度LED照明的调光与开关控制。 5. 消费电子：如智能手机、平板电脑等设备的电源开关和功率调节模块。 该器件具有低导通电阻、高耐压（60V）和良好热性能，适合高频开关应用，有助于减小系统尺寸并提高能效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB20AN06A0 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 45A （Tc） |
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