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Datasheet下载- 型号： BSS84AKW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BSS84AKW,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84AKW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84AKW,115价格参考。NXP SemiconductorsBSS84AKW,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 50V 150mA (Ta) 260mW (Ta), 830mW (Tc) Surface Mount SC-70。您可以下载BSS84AKW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84AKW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS84AKW,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别。该器件采用SOT-363（SC-70）小型表面贴装封装，具有占板面积小、功耗低的特点，适用于空间受限的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现对不同模块的上电/断电控制，以降低待机功耗。 2. 信号切换电路：在模拟或数字信号路径中作为开关元件，用于音频信号切换、传感器使能控制等。 3. 电平转换电路：配合N沟道MOSFET构建无源电平转换器，适用于I²C、UART等低速通信接口的电压匹配。 4. 高边/低边开关：在低电流驱动应用中作为高边开关控制小功率负载，如LED指示灯或小型继电器。 BSS84AKW,115 具有-50V漏源电压（VDS）、-100mA连续漏极电流（ID）和较低的栅极阈值电压，适合低电压、低功耗系统。其稳定的性能和小型封装使其广泛应用于消费类电子、工业控制、通信模块及物联网设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323MOSFET P-CH -50 V -150 mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 150 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS84AKW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS84AKW,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 260 mW |
| Pd-功率耗散 | 260 mW |
| Qg-GateCharge | 0.35 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.35 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-8395-1 |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 150 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150mA （Ta） |
