Datasheet下载- 型号： STW69N65M5-4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW69N65M5-4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW69N65M5-4价格参考。STMicroelectronicsSTW69N65M5-4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW69N65M5-4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW69N65M5-4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW69N65M5-4是一款N沟道MOSFET，属于MDmesh™ M5技术系列。该器件具有650V的击穿电压和低导通电阻（Rds(on)），适用于高效率、高频开关应用。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STW69N65M5-4广泛应用于开关电源中，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。其高耐压特性和优化的开关性能使其非常适合在高压输入环境下工作。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制。其低导通电阻有助于减少功耗，提高系统的整体效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，STW69N65M5-4能够高效地进行直流到交流的转换，支持可再生能源系统的能量管理。 4. 充电器和适配器 该器件适用于笔记本电脑充电器、手机快速充电器以及其他电子设备的适配器，提供高效的功率转换和稳定的输出。 5. 电动工具 在电动工具中，STW69N65M5-4可以实现高效的电池管理和功率输出控制，延长工具的运行时间并提高性能。 6. LED照明驱动 用于大功率LED照明系统中，提供精确的电流控制和高效的功率转换，确保照明设备的稳定运行。 7. 不间断电源（UPS） 在UPS系统中，该MOSFET可以用于电池充放电管理以及逆变电路，确保在断电情况下提供可靠的备用电源。 8. 汽车电子 虽然STW69N65M5-4并非专门针对汽车级应用设计，但在非关键车载电子系统中（如辅助电源或小型电机驱动），它也可以发挥作用。 总结来说，STW69N65M5-4凭借其高性能参数和可靠性，适合各种需要高效功率转换和开关操作的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 58 A |
| Id-连续漏极电流 | 58 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW69N65M5-4MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW69N65M5-4 |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 143 nC |
| Qg-栅极电荷 | 143 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 710 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 710 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6420pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 143nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 29A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-4L |
| 其它名称 | 497-14039-5 |
| 功率-最大值 | 330W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | MDmesh |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
| 封装/箱体 | TO-247-4 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 58A （Tc） |
| 系列 | STW69N65M5-4 |
| 配置 | Single |
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