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  • 型号: IXFP26N50P3
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP26N50P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP26N50P3价格参考。IXYSIXFP26N50P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFP26N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFP26N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFP26N50P3是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率晶体管,常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的耐压能力(500V)和良好的导通性能,适用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统。

典型应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于提高能量转换效率。
2. 电机驱动:在工业自动化、伺服驱动器及变频器中作为功率开关使用。
3. 逆变器系统:应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等场合。
4. 照明系统:如高强度放电灯(HID)镇流器或LED大功率照明控制电路。
5. 汽车电子:用于电动汽车或混合动力汽车的功率控制系统中,例如电池管理系统或车载充电器。

该MOSFET采用TO-247封装,便于散热,适合高功率密度设计。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少损耗,提高系统效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 26A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFP26N50P3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Polar3™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2220pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 13A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

500W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

26A (Tc)

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