ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SISA12ADN-T1-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SISA12ADN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISA12ADN-T1-GE3价格参考。VishaySISA12ADN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SISA12ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SISA12ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SISA12ADN-T1-GE3是一款单通道增强型N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。该器件广泛应用于各种电源管理和信号切换场景中,尤其适用于需要高效能和紧凑设计的应用。 主要应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:在降压、升压或反相DC-DC转换器中,SISA12ADN-T1-GE3可以作为主开关或同步整流管,帮助提高转换效率,减少能量损耗。 - 电池管理系统(BMS):用于电池充电和放电控制,确保电流平稳且安全地流入或流出电池,防止过充或过放。 2. 电机驱动: - 小型电机控制:如风扇、泵浦或其他小型电动设备,通过精确控制电流和电压,实现高效能的电机驱动。 - 步进电机和伺服电机:在自动化控制系统中,MOSFET用于驱动这些电机,提供快速响应和高精度的位置控制。 3. 负载切换: - 负载开关:用于控制电路中的负载通断,例如在智能手机、平板电脑等便携式电子设备中,实现对不同模块的电源管理。 - 热插拔保护:在服务器、网络设备中,MOSFET用于保护系统免受瞬态电压和电流冲击的影响,确保系统的稳定性和可靠性。 4. 通信设备: - 基站和路由器:用于电源分配和信号处理,确保设备在高频率和大电流下的稳定运行。 - 射频(RF)前端模块:在无线通信设备中,MOSFET用于开关和调节RF信号路径,以优化传输性能。 5. 消费类电子产品: - 智能家居设备:如智能灯泡、插座等,MOSFET用于控制电源的开闭,实现节能和智能化管理。 - 音频放大器:用于音频信号的放大和切换,确保音质清晰且无失真。 总之,SISA12ADN-T1-GE3凭借其优异的电气特性,适用于多种需要高效能、低损耗和快速响应的应用场合,特别适合于便携式设备、工业控制和通信基础设施等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SISA12ADN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2070pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.3 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SISA12ADN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |