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IRFR024NTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR024NTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR024NTRPBF价格参考¥1.84-¥5.95。International RectifierIRFR024NTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 55V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载IRFR024NTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR024NTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR024NTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于各类电子电力系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于高效能转换场景。 典型应用场景包括:便携式电源设备中的DC-DC转换器,用于提升或降低电压;电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关,确保电池安全运行;小型电机驱动电路,如无人机、电动玩具和家用电器中的直流电机控制;LED照明驱动电源,实现恒流供电与调光功能;以及各类开关电源(SMPS)中的低功率开关元件。 此外,IRFR024NTRPBF采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适用于自动化贴片生产,常见于工业控制模块、消费类电子产品和汽车电子辅助系统中。其无铅环保设计(后缀Pb-free)符合RoHS标准,适合对环保要求较高的产品。 由于其额定电压为55V,连续漏极电流可达11A,特别适用于中低电压、中等电流的开关应用,是性价比高且可靠性强的通用型功率MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A DPAKMOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR024NTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR024NTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR024NPBFTR |
| 功率-最大值 | 45W |
| 功率耗散 | 38 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 75 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr024n.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |