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IRFB4020PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4020PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4020PBF价格参考¥3.91-¥4.09。International RectifierIRFB4020PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4020PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4020PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4020PBF是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是该型号的应用场景: 1. 电源管理: IRFB4020PBF适用于各种电源管理系统,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,能够提供高效的开关性能和稳定的电流控制。 3. 负载切换: 在需要快速、高效地切换负载的应用中,例如汽车电子设备中的负载切换或消费电子产品中的电源开关,IRFB4020PBF表现出色。 4. 电池保护: 可用于便携式设备(如笔记本电脑、平板电脑或智能手机)的电池保护电路中,防止过流、短路或其他异常情况对电池造成损害。 5. 通信设备: 在通信基础设施中,如基站或路由器的电源模块中,IRFB4020PBF可用于实现高效的功率分配和信号处理。 6. 工业自动化: 在工业控制领域,该MOSFET可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服系统和其他自动化设备中的开关和驱动功能。 7. 照明应用: 支持LED照明系统的驱动和调光功能,尤其在大功率LED灯具中,可提供稳定且高效的电流控制。 8. 汽车电子: 适用于汽车电子中的多种应用场景,如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统以及车载信息娱乐系统的电源管理。 总结来说,IRFB4020PBF凭借其高性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子和照明等领域,为各类电力转换和控制需求提供了理想的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4020PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB4020PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 18 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4020pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |